Бирюков, В. Н. Обусловленность трехпараметрической модели полевого транзистора [] / В. Н. Бирюков // Известия ЮФУ. Технические науки = Izvestiya SFedU. Engineering sciences. - 2008. - № 1 (78). - С. 8-9 : 1 рис. - Библиогр.: с. 9 (1 назв. ). - Специальный выпуск: Материалы 53-й научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТТИ ЮФУ / отв. за вып. В. Н. Моськин. - Научно-техническое отделение Зональной научной библиотеки имени Ю. А. Жданова Южного федерального университета (г. Таганрог). - code, ijfu. - year, 2008. - no, 1. - ss, 8. - ad, 1. - d, 2008, , 0, y. - RUMARS-ijfu08_no1_ss8_ad1 . - ISSN 1999-9429
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): параметры -- полевые транзисторы -- пороговое напряжение -- преобразовательные устройства -- трехпараметрические модели -- усилительные устройства Аннотация: В докладе рассматривается краткое научное сообщение о моделях высокочастотных полевых транзисторов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Филь, К. А. Результаты компьютерного анализа режимов синхронизации процессов автосолитонной и доменной генерации диодов Ганна внешним переменным полем [] / К. А. Филь // Известия ЮФУ. Технические науки = Izvestiya SFedU. Engineering sciences. - 2008. - № 1 (78). - С. 91-92. - Библиогр.: с. 92 (3 назв. ). - Специальный выпуск: Материалы 53-й научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТТИ ЮФУ / отв. за вып. В. Н. Моськин. - Научно-техническое отделение Зональной научной библиотеки имени Ю. А. Жданова Южного федерального университета (г. Таганрог). - code, ijfu. - year, 2008. - no, 1. - ss, 91. - ad, 1. - d, 2008, , 0, y. - RUMARS-ijfu08_no1_ss91_ad1 . - ISSN 1999-9429
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): Ганна диоды -- автосолитонная генерация -- внешние переменные поля -- диоды Ганна -- доменная генерация -- компьютерный анализ -- режимы синхронизации Аннотация: На основе представления зависимости эффективной массы носителей от их средней энергии была разработана программа компьютерного анализа зависимости амплитуды и частоты тока, наведенного во внешней цепи диода Ганна, работающего в автосолитонном и доменном режимах, от параметров диода и напряжений (постоянного и переменного) на его зажимах. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бровченко, С. П. (кандидат технических наук). Сверхвысокочастотный транзисторный автогенератор, стабилизированный диэлектрическим резонатором [] = SHF transistor autogenerator stabilized by a dielectric resonator / С. П. Бровченко, А. Н. Зикий, О. А . Чернышева // Известия ЮФУ. Технические науки = Izvestiya SFedU. Engineering sciences. - 2008. - № 3 (80). - С. 182-184 : 1 рис. - Библиогр.: с. 184 (1 назв. ). - Тематический выпуск: Безопасность телекоммуникационных систем / отв. за вып. С. А. Ховансков. - Заглавие на английском языке, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках в конце журнала. - Доступен только в электронном виде. - Научно-техническое отделение Зональной научной библиотеки имени Ю. А. Жданова Южного федерального университета (г. Таганрог). - code, ijfu. - year, 2008. - no, 3. - ss, 182. - ad, 1. - d, 2008, , 0, y. - RUMARS-ijfu08_no3_ss182_ad1 . - ISSN 1999-9429
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): автогенераторы -- диэлектрические резонаторы -- полевые транзисторы -- стабильность частоты -- фазовые шумы -- эксперименты Аннотация: Представлена электрическая схема и описание конструкции автогенератора на полевом транзисторе, стабилизированного диэлектрическим резонатором. Обсуждены результаты экспериментального исследования, подтверждающие возможность реализации твердотельных автогенераторов с уровнем частотных и фазовых шумов менее 60 дБ/Гц при отстройке от частоты генерации не более чем на 120 кГц. Доп.точки доступа: Зикий, А. Н. (кандидат технических наук); Чернышева, О. А. (магистранка) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Масальский, Николай Валерьевич (кандидат физико-математических наук; ведущий научный сотрудник). Наноразмерные кремниевые полевые транзисторы для биосенсоров [] / Масальский Николай Валерьевич // Датчики и системы. - 2020. - № 2. - С. 48-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (12 назв.). - Научная библиотека Пензенского государственного университета. - code, dasi. - year, 2020. - no, 2. - ss, 48. - ad, 1. - d, 2020, , 0, y. - RUMARS-dasi20_no2_ss48_ad1 . - ISSN 1992-7185
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): TCAD -- биосенсоры -- вольт-амперные характеристики -- компьютерное моделирование -- кремниевые полевые транзисторы -- нанотранзисторы -- полевые транзисторы -- сенсорные элементы -- цилиндрические полевые нанотранзисторы Аннотация: Рассмотрена проблема применимости кремниевых цилиндрических полевых нанотранзисторов, выполненных на основе отечественного современного технологического процесса с топологическими нормами 65 нм, для разработки компактных биосенсоров. При помощи компьютерного моделирования рассчитаны электрофизические характеристики транзисторов с длиной канала (сенсорного элемента) 25.. 65 нм. Показана возможность достижения высокой чувствительности к изменению управляющего напряжения и линейности этой характеристики в зависимости от размеров канала. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |