Сорбционное изменение электрического сопротивления изоляции лакоткани при воздействии микроскопического гриба Aspergillus niger [] / И. Г. Салинина, В. Б. Иванов, С. А. Семенов [и др.] // Химическая физика. - 2020. - Т. 39, № 11. - С. 48-51 : ил. - Библиогр.: 14 назв. . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Биология Общая микробиология Кл.слова (ненормированные): Aspergillus niger -- изоляционные материалы -- изоляция -- лакоткани -- микроскопические грибы -- результаты моделирования -- сорбционное изменение -- стойкость -- электрическое сопротивление -- электропроводность материалов -- электропроводящие вещества Аннотация: Установлено, что обратимое снижение электрического сопротивления изоляции лакоткани при воздействии микроскопического гриба Aspergillus niger обусловлено возрастанием электропроводности материала в результате сорбции в его объеме продуцируемых микроорганизмом электропроводящих веществ. Предложены кинетические модели снижения электрического сопротивления изоляции в условиях роста на ней микроскопического гриба. Модели могут быть использованы для разработки методики определения стойкости изоляционных материалов к воздействию микробиологического фактора. Доп.точки доступа: Салинина, И. Г.; Иванов, В. Б.; Семенов, С. А.; Казарин, В. В.; Жданова, О. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Курмангалеев, К. С. Электрическое сопротивление структурированных на наноуровне бинарных оксидов CeO[2]-In[2]O[3] [] / К. С. Курмангалеев, М. А. Кожушнер, Л. И. Трахтенберг // Химическая физика. - 2020. - Т. 39, № 11. - С. 89-92 : ил. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0207-401X
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): атомы кислорода -- концентрация -- наноуровни -- оксид индия -- оксид церия -- приповерхностные слои -- проводимость -- распределение заряда -- сопротивление пленки -- структурированные бинарные оксиды -- электрическое сопротивление -- электроны Аннотация: Рассмотрены бинарные смеси структрированных на наноуровне оксидов на примере CeO[2]-In[2]O[3]. Выяснена роль каталитически активных нанокластеров СеО[2] при распределении заряда в наночастицах (In[2]O[3]) с большой концентрацией электронов. Учтено перетекание атомов кислорода с нанокластеров CeO[2] на наночастицы In[2]O[3], которое усиливает неоднородное распределение электронов проводимости в наночастице In[2]O[3] и обедняет приповерхностный слой. Показано, что поскольку проводимость системы определяется приповерхностной плотностью электронов, то при увеличении концентрации CeO[2] сопротивление пленки увеличивается. Доп.точки доступа: Кожушнер, М. А.; Трахтенберг, Л. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |