Исследование влияния конструктивно-технологических параметров низкорезистивных шунтов на характеристики анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля [] / Жуков Дмитрий Андреевич, Васильев Дмитрий Вячеславович, Орлов Евгений Павлович [и др.]> // Датчики и системы. - 2020. - № 2. - С. 53-56 : ил. - Библиогр.: с. 56 (5 назв.). - Научная библиотека Пензенского государственного университета. - code, dasi. - year, 2020. - no, 2. - ss, 53. - ad, 1. - d, 2020, , 0, y. - RUMARS-dasi20_no2_ss53_ad1 . - ISSN 1992-7185
Рубрики: Физика Магнетизм Радиоэлектроника Автоматика и телемеханика Кл.слова (ненормированные): анизотропный магниторезистивный эффект -- магниторезистивные наноструктуры -- магниторезистивные преобразователи -- магниторезистивный эффект -- низкорезистивные шунты -- преобразователи магнитного поля -- тонкопленочные технологии -- шунты Аннотация: Показана актуальность анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля с низкорезистивными шунтами для применения в условиях слабых магнитных полей. Представлены результаты экспериментальных исследований анизотропных магниторезистивных преобразователей магнитного поля с различными параметрами низкорезистивных шунтов и однослойных полосок из сплава FeNiCo. Рассмотрены конструктивно-технологические решения для повышения чувствительности, снижения гистерезиса и остаточно-эквивалентного магнитного поля. Доп.точки доступа: Жуков, Дмитрий Андреевич (младший научный сотрудник); Васильев, Дмитрий Вячеславович (научный сотрудник); Орлов, Евгений Павлович (научный сотрудник); Костюк, Дмитрий Валентинович (начальник лаборатории); Амеличев, Владимир Викторович (кандидат технических наук; начальник отдела); Казаков, Юрий Владимирович (научный сотрудник); Беляков, Петр Алексеевич (старший научный сотрудник) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Павлюченко, В. В. Формирование изображений электрических сигналов преобразователя магнитного поля при гистерезисной интерференции для контроля металлов в импульсных магнитных полях [] / В. В. Павлюченко, Е. С. Дорошевич> // Дефектоскопия. - 2020. - № 11. - С. 38-45. - Библиогр. в конце ст. . - ISSN 0130-3082
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): арктангенсная характеристика магнитного носителя -- гистерезисная интерференция -- импульсные магнитные поля -- контроль металлов в импульсных магнитных полях -- линейное измерение толщины образца -- преобразователи магнитного поля -- электрические сигналы -- электрические сигналы преобразователя магнитного поля Аннотация: Представлен алгоритм последовательности изменений величины суммарной напряженности импульсов магнитного поля на поверхности алюминиевой пластины, обеспечивающий одинаковую амплитуду гистерезисных колебаний электрического напряжения и позволяющий получить линейную разностную зависимость для клинообразного и плоского алюминиевых образцов. Доп.точки доступа: Дорошевич, Е. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |