32.852.3 Г 54 Глибина, В. Определитель выводов и основных параметров транзисторов и диодов : [об определении выводов биополярных транзисторов, их структуры и измерения коэффициента передачи тока] / В. Глибина> // Радио. - 2013. - № 12. - С. 15-19 : рис.
Рубрики: Электроника--транзисторная электроника Кл.слова (ненормированные): измерения -- полевые транзисторы -- биполярные транзисторы Держатели документа: Чувашская республиканская детско-юношеская библиотека Доп.точки доступа: Петров , А. |
3 Д 36 Дерр, Д. "Бегущие огни" на мощных МОП - транзисторах : [о трёхканальном "бегущем огне" с плавной регулировкой скорости переключения] / Д. Дерр> // Радио. - 2014. - № 1. - С. 32-35 : ил. Рубрики: Техника Кл.слова (ненормированные): трехфазные мультивибраторы на полевых транзисторах -- полевые транзисторы Держатели документа: Чувашская республиканская детско-юношеская библиотека |
Бирюков, В. Н. Обусловленность трехпараметрической модели полевого транзистора [] / В. Н. Бирюков> // Известия ЮФУ. Технические науки = Izvestiya SFedU. Engineering sciences. - 2008. - № 1 (78). - С. 8-9 : 1 рис. - Библиогр.: с. 9 (1 назв. ). - Специальный выпуск: Материалы 53-й научно-технической конференции профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТТИ ЮФУ / отв. за вып. В. Н. Моськин. - Научно-техническое отделение Зональной научной библиотеки имени Ю. А. Жданова Южного федерального университета (г. Таганрог). - code, ijfu. - year, 2008. - no, 1. - ss, 8. - ad, 1. - d, 2008, , 0, y. - RUMARS-ijfu08_no1_ss8_ad1 . - ISSN 1999-9429
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): параметры -- полевые транзисторы -- пороговое напряжение -- преобразовательные устройства -- трехпараметрические модели -- усилительные устройства Аннотация: В докладе рассматривается краткое научное сообщение о моделях высокочастотных полевых транзисторов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Масальский, Николай Валерьевич (кандидат физико-математических наук; ведущий научный сотрудник). Наноразмерные кремниевые полевые транзисторы для биосенсоров [] / Масальский Николай Валерьевич> // Датчики и системы. - 2020. - № 2. - С. 48-52 : ил. - Библиогр.: с. 52 (12 назв.). - Научная библиотека Пензенского государственного университета. - code, dasi. - year, 2020. - no, 2. - ss, 48. - ad, 1. - d, 2020, , 0, y. - RUMARS-dasi20_no2_ss48_ad1 . - ISSN 1992-7185
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): TCAD -- биосенсоры -- вольт-амперные характеристики -- компьютерное моделирование -- кремниевые полевые транзисторы -- нанотранзисторы -- полевые транзисторы -- сенсорные элементы -- цилиндрические полевые нанотранзисторы Аннотация: Рассмотрена проблема применимости кремниевых цилиндрических полевых нанотранзисторов, выполненных на основе отечественного современного технологического процесса с топологическими нормами 65 нм, для разработки компактных биосенсоров. При помощи компьютерного моделирования рассчитаны электрофизические характеристики транзисторов с длиной канала (сенсорного элемента) 25.. 65 нм. Показана возможность достижения высокой чувствительности к изменению управляющего напряжения и линейности этой характеристики в зависимости от размеров канала. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |