Чувашская республиканская детско-юношеская библиотека

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Статьи - результаты поиска

Вид поиска

книги

Статьи

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=GAAS<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Тенденции развития рынка монокристаллов GAAS [] / Е. Маянов [и др.] // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2018. - № 2. - С. 172-184. - Научная библиотека Брянского государственного технического университета. - code, entb. - year, 2018. - no, 2. - ss, 172. - ad, 1. - d, 2018, , 0, y. - RUMARS-entb18_no2_ss172_ad1 . - ISSN 1992-4178

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом, 1990-2016 гг.
Кл.слова (ненормированные):
GAAS -- СВЧ-техника -- арсенид галлия -- кристаллизация -- монокристаллы
Аннотация: Обзор мирового и российского рынка арсенида галлия – основного материала современной СВЧ-техники. Анализируются данные по развитию рынка приборов на GaAs в 1990-2016 годах и дается прогноз на последующие годы.

Доп.точки доступа:
Маянов, Е.; Гасанов, А.; Князев, С.; Наумов, А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Блесман, Александр Иосифович (кандидат технических наук; доцент).
Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки [] / А. И. Блесман, Р. Б. Бурлаков // Омский научный вестник. Серия: Приборы, машины и технологии. - 2019. - № 4 (166). - С. 55-60 : 7 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 59 (21 назв.). - БУК Омская государственная областная научная библиотека им. А.С. Пушкина. - code, oms2. - year, 2019. - no, 4. - ss, 55. - ad, 1. - d, 2019, , 0, y. - RUMARS-oms219_no4_ss55_ad1 . - ISSN 1813-8225

УДК

^a621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
Шоттки барьеры -- арсениды галлия n-типа -- барьеры Шоттки -- изготовление фотоэлементов -- контакты -- способы изготовления фотоэлементов -- фотоэлектрические свойства -- фотоэлементы -- электрические свойства
Аннотация: Предложена структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки. Представлены результаты экспериментального исследования электрических и фотоэлектрических свойств фотоэлементов на основе контактов Au-n-GaAs с барьером Шоттки.

Доп.точки доступа:
Бурлаков, Рудиарий Борисович (кандидат физико-математических наук; доцент)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 08.07.2024
Число запросов	80597
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)