Чувашская республиканская детско-юношеская библиотека

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Статьи - результаты поиска

Вид поиска

книги

Статьи

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=встроенные поверхностные потенциалы<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Яфаров, Равиль Кяшшафович (доктор технических наук; заведующий лабораторией).
Влияние плазмохимической модификации поверхности на поперечный электронный транспорт и вольт-амперные характеристики кремниевых структур металл–диэлектрик–полупроводник [] / Р. К. Яфаров, Д. В. Нефедов // Известия Саратовского университета. Новая серия. Сер.: Физика. - 2019. - Вып. 1. - С. 76-82 : рис. - Библиогр.: с. 81 (11 назв.). - Библиогр. на рус. и англ. яз. - Зональная научная библиотека им. В. А. Артисевич Саратовского государственного университета. - code, isg2. - year, 2019. - vy, 1. - ss, 76. - ad, 1. - d, 2019, , 0, y. - RUMARS-isg219_vy1_ss76_ad1

УДК

^a539.19

ББК 22.36
Рубрики: Физика
Молекулярная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- встроенные поверхностные потенциалы -- металл–диэлектрик–полупроводник -- микроволновая плазма -- перенос электронов -- плазмохимическая модификация
Аннотация: Исследуются закономерности модификации вольт-амперных характеристик (ВАХ) структур металл–диэлектрик–полупроводник (МДП) за счет формирования встроенных поверхностных потенциалов. Поверхностные потенциалы образуются при получении атомарно чистой поверхности кристаллов кремния с использованием микроволновой плазменной микрообработки. Целью работы является исследование влияния плазменной микрообработки в различных химически активных газовых средах на свойства кремниевых МДП структур. Микроволновая плазменная микрообработка подзатворной области проводилась в среде хладона-14 или аргона. Далее на подзатворную область структуры в том же технологическом цикле последовательно осаждались герметизирующий туннельно тонкий (10–20 нм) слой карбида кремния и слой диоксида кремния толщиной 0. 5 мкм. На области стока и истока осаждался слой аморфного кремния толщиной 20 нм. В ходе измерения вольт-амперных характеристик экспериментально установлено и предложена интерпретация влияния поверхностных потенциалов на перенос электронов и крутизну вольт-амперных характеристик кремниевых устройств металл–диэлектрик–полупроводник.

Доп.точки доступа:
Нефедов, Денис Владимирович (кандидат технических наук; научный сотрудник)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 08.07.2024
Число запросов	24025
Число посетителей	0
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)