Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи - результаты поиска

Вид поиска
книги
Статьи
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=GAAS<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Маянов Е., Гасанов А., Князев С., Наумов А.
Заглавие : Тенденции развития рынка монокристаллов GAAS
Серия: Производственные технологии
Место публикации : Электроника: наука, технология, бизнес. - 2018. - № 2. - С.172-184. - ISSN 1992-4178 (Шифр entb/2018/2). - ISSN 1992-4178
Примечания : Научная библиотека Брянского государственного технического университетаcode, entbyear, 2018no, 2ss, 172ad, 1d, 2018, , 0, yRUMARS-entb18_no2_ss172_ad1
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом, 1990-2016 гг.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): gaas--свч-техника--арсенид галлия--кристаллизация--монокристаллы
Аннотация: Обзор мирового и российского рынка арсенида галлия – основного материала современной СВЧ-техники. Анализируются данные по развитию рынка приборов на GaAs в 1990-2016 годах и дается прогноз на последующие годы.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Блесман, Александр Иосифович (кандидат технических наук; доцент), Бурлаков, Рудиарий Борисович
Заглавие : Электрические и фотоэлектрические свойства фотоэлементов на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки
Серия: Приборостроение, метрология и информационно-измерительные приборы и системы
Место публикации : Омский научный вестник. Серия: Приборы, машины и технологии. - 2019. - № 4 (166). - С.55-60: 7 рис., 1 табл. - ISSN 1813-8225 (Шифр oms2/2019/4). - ISSN 1813-8225
Примечания : Библиогр.: с. 59 (21 назв.). - БУК Омская государственная областная научная библиотека им. А.С. Пушкинаcode, oms2year, 2019no, 4ss, 55ad, 1d, 2019, , 0, yRUMARS-oms219_no4_ss55_ad1
УДК : 621.38
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): шоттки барьеры--арсениды галлия n-типа--барьеры шоттки--изготовление фотоэлементов--контакты--способы изготовления фотоэлементов--фотоэлектрические свойства--фотоэлементы--электрические свойства
Аннотация: Предложена структура и методика изготовления фотоэлемента на основе контакта Au-n-GaAs с барьером Шоттки. Представлены результаты экспериментального исследования электрических и фотоэлектрических свойств фотоэлементов на основе контактов Au-n-GaAs с барьером Шоттки.
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 19.07.2024
Число запросов 124761
Число посетителей 0
Число заказов 0
Top.Mail.Ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)