Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Онищук, Сергей Алексеевич (кандидат физико-математических наук; доцент), Тумаев, Евгений Николаевич Заглавие : К вопросу о формообразовании профилированных кристаллов кремния при их выращивании по способу Степанова Параллельн. заглавия :To the question of the formation of profiled silicon crystals at its growth by Stepanov's method Серия: Физика Место публикации : Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества. - 2017. - Т. 14, № 3. - С.84-94: 10 ил., 2 табл. (Шифр evnc/2017/14/3) Примечания : Библиогр.: с. 92-94 (21 назв. ). - Кубанский государственный университетcode, evncyear, 2017to, 14no, 3ss, 84ad, 1d, 2017, , 0, yRUMARS-evnc17_to14_no3_ss84_ad1 УДК : 548/549 ББК : 26.303 Предметные рубрики: Геология Минералогия Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): миллера индексы--степанова метод--выращивание кристаллов--двойникование--индексы миллера--кремний--кристаллографические плоскости--метод степанова--профилированные кристаллы--солнечные элементы Аннотация: Рассмотрены особенности процесса формообразования при выращивании профилированных монокристаллов кремния методом Степанова. Перечислены характерные кристаллические формы, возникающие в процессе роста. Проведено теоретическое исследование особенностей роста монокристалла при различных направлениях роста. Исследованы особенности процесса образования двойников при выращивании профилированных кристаллов. Предложено объяснение спиралевидных структур при выращивании профилированных монокристаллов кремния. Доп.точки доступа: Тумаев, Евгений Николаевич (доктор физико-математических наук; профессор)